Magnachip Meluncurkan BatteryFET 12V Ultra Rendah Rss(on) generasi ke-8 yang Dirancang untuk Efisiensi Daya Baterai Ponsel Cerdas
- RSS(aktif) Ketik. di bawah 1mΩ — menghasilkan resistansi sangat rendah untuk sirkuit perlindungan baterai (PCM)
- Pengurangan 48% pada resistensi spesifik (Rsp) dan peningkatan kepadatan arus sebesar 185% dibandingkan generasi sebelumnya
- Dirancang untuk memenuhi kebutuhan ponsel cerdas generasi mendatang untuk pengisian daya ultra cepat dan perlindungan baterai efisiensi tinggi
SEOUL, Korea Selatan—(Antara/BUSINESS WIRE)—Magnachip Semiconductor Corporation (NYSE: MX, “Magnachip†) hari ini mengumumkan peluncuran dua MOSFET tegangan rendah (LV) Ultra Low-Ron 12V generasi ke-8 yang dirancang untuk sirkuit perlindungan baterai ponsel cerdas (PCM) berkinerja tinggi. Produk-produk baru ini menyasar ponsel pintar generasi mendatang, yang mana pengisian daya super cepat dan efisiensi energi semakin penting, dan mewakili perluasan jajaran produk Magnachip, sehingga memperkuat daya saingnya di pasar FET perlindungan baterai seluler. Salah satunya sedang dalam produksi massal dan saat ini sedang dipasok ke produsen ponsel pintar besar global, yang telah menunjukkan performa dan keandalan yang telah terbukti.
Ketika ponsel cerdas menggabungkan fungsionalitas AI yang canggih dan aplikasi berperforma tinggi yang semakin meningkat, beban komputasi pun meningkat, sehingga mendorong pentingnya efisiensi daya dan kinerja pengisian daya. Akibatnya, MOSFET yang digunakan dalam sirkuit proteksi baterai (PCM) diharuskan untuk menghasilkan resistansi rendah, kepadatan arus tinggi, dan kinerja efisien dalam ruang papan terbatas. Selain itu, semakin banyaknya adopsi faktor bentuk inovatif seperti perangkat yang dapat dilipat dan digulung semakin membatasi ruang desain sirkuit, sehingga meningkatkan pentingnya meningkatkan kinerja dalam ukuran yang sama sekaligus mengurangi jumlah komponen.
Produk-produk baru ini dirancang sebagai perangkat switching utama dalam sirkuit perlindungan baterai ponsel cerdas (PCM), yang menjalankan fungsi-fungsi penting seperti perlindungan pengisian berlebih dan pengosongan berlebih, serta kontrol arus pengisian dan pengosongan. Mereka menawarkan dua keuntungan utama:
Pertama, dengan mengurangi resistansi secara signifikan dalam ukuran kemasan yang sama, produk meminimalkan timbulnya panas. Misalnya, MDWC12D013PERH mencapai peningkatan lebih dari 50% pada resistansi (Rss(aktif)) dibandingkan dengan perangkat Magnachip generasi ke-7 dengan ukuran yang sama, menghasilkan penurunan suhu hingga 10°C dalam kondisi pengujian yang sama. Pengurangan panas ini berkontribusi pada masa pakai baterai yang lebih lama dan peningkatan stabilitas pengisian daya di ponsel cerdas.
Kedua, peningkatan kepadatan arus dan kompatibilitas pin-to-pin memungkinkan penggantian dan integrasi dalam desain sirkuit yang ada, mengurangi jejak PCB dan jumlah FET yang diperlukan, sehingga membantu mengurangi biaya produksi. Hal ini memungkinkan produsen memanfaatkan ruang yang dihemat untuk kapasitas baterai yang lebih besar atau desain perangkat yang lebih ramping.
Produk-produk baru ini menggabungkan teknologi generasi ke-8 Magnachip, memanfaatkan struktur sel parit berdensitas tinggi. Mereka mengurangi resistensi spesifik (Rsp) sekitar 48% dan meningkatkan kepadatan arus sekitar 185% dibandingkan generasi sebelumnya, sehingga mencapai RSS(aktif) Ketik. di bawah 1mΩ.
Menurut Omdia, AI generatif telah muncul sebagai tren utama di pasar teknologi dan berkembang pesat, didorong oleh segmen konsumen (digital). Pasarnya diproyeksikan akan tumbuh dari sekitar $7,7 miliar pada tahun 2022 menjadi $30,4 miliar pada tahun 2028, dengan ponsel pintar diperkirakan akan menguasai sebagian besar aplikasi.
Menanggapi tren pasar ini, Magnachip berencana untuk memperkenalkan produk 22V Ultra Low-Ron pada tahun ini, yang selanjutnya memperluas portofolio LV MOSFET untuk perangkat seluler berkinerja tinggi.
Hyuk WooCTO Magnachip Semiconductor, mengatakan:
Mencapai resistansi rendah dan kinerja termal yang unggul dalam ruang terbatas merupakan tantangan utama dalam desain sirkuit perlindungan baterai ponsel cerdas.
†MOSFET LV Ultra Rendah-Ron 12V generasi ke-8 kami dirancang untuk memenuhi persyaratan ini, memberikan peningkatan efisiensi dan keandalan, dan diharapkan memberikan nilai teknis yang sangat kompetitif dalam aplikasi ini. Memanfaatkan keahlian kami dalam desain dan manufaktur semikonduktor daya, Magnachip akan terus meningkatkan daya saing produknya di berbagai aplikasi, termasuk seluler,â€
MEMBACA Berita Baterai terbaru yang membentuk pasar baterai
Magnachip Meluncurkan BateraiFET 12V Ultra Rendah Rss(on) generasi ke-8 yang Dirancang untuk Efisiensi Daya Baterai Ponsel Cerdas, sumber
